onsemi (Ansemi)
Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
NXH100B120H3Q0STG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Broj dijela
NXH100B120H3Q0STG
Kategorija
Power IC > Power Module
Proizvođač/Marka
onsemi (Ansemi)
Enkapsulacija
-
Pakiranje
tray
Broj paketa
24
Opis
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na chen_hx1688@hotmail.com, odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 80099 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Ključne riječi od NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Elektroničke komponente
NXH100B120H3Q0STG Prodajni
NXH100B120H3Q0STG Dobavljač
NXH100B120H3Q0STG Distributer
NXH100B120H3Q0STG Tablica podataka
NXH100B120H3Q0STG Fotografije
NXH100B120H3Q0STG Cijena
NXH100B120H3Q0STG Ponuda
NXH100B120H3Q0STG Najniža cijena
NXH100B120H3Q0STG Pretraživanje
NXH100B120H3Q0STG Kupnja
NXH100B120H3Q0STG Čip