onsemi (Ansemi)
Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
NXH100B120H3Q0PTG Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.

NXH100B120H3Q0PTG

Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Broj dijela
NXH100B120H3Q0PTG
Kategorija
Power IC > Power Module
Proizvođač/Marka
onsemi (Ansemi)
Enkapsulacija
-
Pakiranje
tray
Broj paketa
24
Opis
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na chen_hx1688@hotmail.com, odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 66448 PCS
Podaci za kontakt
Ključne riječi od NXH100B120H3Q0PTG
NXH100B120H3Q0PTG Elektroničke komponente
NXH100B120H3Q0PTG Prodajni
NXH100B120H3Q0PTG Dobavljač
NXH100B120H3Q0PTG Distributer
NXH100B120H3Q0PTG Tablica podataka
NXH100B120H3Q0PTG Fotografije
NXH100B120H3Q0PTG Cijena
NXH100B120H3Q0PTG Ponuda
NXH100B120H3Q0PTG Najniža cijena
NXH100B120H3Q0PTG Pretraživanje
NXH100B120H3Q0PTG Kupnja
NXH100B120H3Q0PTG Čip