Slika može predstavljati. Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
FQB5N90TM
N-Channel 900V 5.4A Power MOSFET, N-Channel, QFET, 900 V, 5.4 A, 2.3 ?
Broj dijela
FQB5N90TM
Kategorija
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Proizvođač/Marka
onsemi (Ansemi)
Enkapsulacija
TO-263-3
Pakiranje
taping
Broj paketa
800
Opis
This N-channel enhancement mode power MOSFET is produced using a planar stripe and DMOS proprietary process. This advanced MOSFET technology is designed for low on-resistance, excellent switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for use in switch-mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.