Kupiti Vishay Siliconix SIS436DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.

Podatkovne tablice

SIS436DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Broj dijela

SIS436DN-T1-GE3

Proizvođač/Marka

Vishay Siliconix

Niz

TrenchFET®

Status dijela

Active

Pakiranje

Digi-Reel®

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket/kovčeg

PowerPAK® 1212-8

Paket uređaja dobavljača

PowerPAK® 1212-8

Rasipanje snage (maks.)

3.5W (Ta), 27.7W (Tc)

Tip FET-a

N-Channel

FET značajka

Napon odvoda prema izvoru (Vdss)

25V

Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C

16A (Tc)

Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs

22nC @ 10V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds

855pF @ 10V

Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)

4.5V, 10V

Vgs (maks.)

±20V

Zatražite ponudu

Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.

Na lageru 22302 PCS

Podaci za kontakt

Srodni proizvodi

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS406DN-T1-GE3