Kupiti Vishay Siliconix SIS414DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.

Podatkovne tablice

SIS414DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Broj dijela

SIS414DN-T1-GE3

Proizvođač/Marka

Vishay Siliconix

Niz

TrenchFET®

Status dijela

Active

Pakiranje

Digi-Reel®

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket/kovčeg

PowerPAK® 1212-8

Paket uređaja dobavljača

PowerPAK® 1212-8

Rasipanje snage (maks.)

3.4W (Ta), 31W (Tc)

Tip FET-a

N-Channel

FET značajka

Napon odvoda prema izvoru (Vdss)

30V

Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C

20A (Tc)

Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs

33nC @ 10V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds

795pF @ 15V

Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)

2.5V, 4.5V

Vgs (maks.)

±12V

Zatražite ponudu

Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.

Na lageru 51908 PCS

Podaci za kontakt

Srodni proizvodi

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS406DN-T1-GE3