Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Broj dijela
SIS410DN-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Active
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
PowerPAK® 1212-8
Paket uređaja dobavljača
PowerPAK® 1212-8
Rasipanje snage (maks.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Tip FET-a
N-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
20V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
41nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
1600pF @ 10V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 41372 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SIS410DN-T1-GE3
SIS410DN-T1-GE3 Elektroničke komponente
SIS410DN-T1-GE3 Prodajni
SIS410DN-T1-GE3 Dobavljač
SIS410DN-T1-GE3 Distributer
SIS410DN-T1-GE3 Tablica podataka
SIS410DN-T1-GE3 Fotografije
SIS410DN-T1-GE3 Cijena
SIS410DN-T1-GE3 Ponuda
SIS410DN-T1-GE3 Najniža cijena
SIS410DN-T1-GE3 Pretraživanje
SIS410DN-T1-GE3 Kupnja
SIS410DN-T1-GE3 Čip