SIR838DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
Broj dijela
SIR838DP-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Obsolete
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
PowerPAK® SO-8
Paket uređaja dobavljača
PowerPAK® SO-8
Rasipanje snage (maks.)
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Tip FET-a
N-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
150V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
50nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
2075pF @ 75V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 5884 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SIR838DP-T1-GE3
SIR838DP-T1-GE3 Elektroničke komponente
SIR838DP-T1-GE3 Prodajni
SIR838DP-T1-GE3 Dobavljač
SIR838DP-T1-GE3 Distributer
SIR838DP-T1-GE3 Tablica podataka
SIR838DP-T1-GE3 Fotografije
SIR838DP-T1-GE3 Cijena
SIR838DP-T1-GE3 Ponuda
SIR838DP-T1-GE3 Najniža cijena
SIR838DP-T1-GE3 Pretraživanje
SIR838DP-T1-GE3 Kupnja
SIR838DP-T1-GE3 Čip