Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
Broj dijela
SIJA58DP-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET® Gen IV
Status dijela
Active
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
PowerPAK® SO-8
Paket uređaja dobavljača
PowerPAK® SO-8
Rasipanje snage (maks.)
27.7W (Tc)
Tip FET-a
N-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
40V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
75nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
3750pF @ 20V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 42358 PCS
Podaci za kontakt
Ključne riječi od SIJA58DP-T1-GE3
SIJA58DP-T1-GE3 Elektroničke komponente
SIJA58DP-T1-GE3 Prodajni
SIJA58DP-T1-GE3 Dobavljač
SIJA58DP-T1-GE3 Distributer
SIJA58DP-T1-GE3 Tablica podataka
SIJA58DP-T1-GE3 Fotografije
SIJA58DP-T1-GE3 Cijena
SIJA58DP-T1-GE3 Ponuda
SIJA58DP-T1-GE3 Najniža cijena
SIJA58DP-T1-GE3 Pretraživanje
SIJA58DP-T1-GE3 Kupnja
SIJA58DP-T1-GE3 Čip