Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
SIE868DF-T1-GE3

SIE868DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
Broj dijela
SIE868DF-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Active
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
10-PolarPAK® (L)
Paket uređaja dobavljača
10-PolarPAK® (L)
Rasipanje snage (maks.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Tip FET-a
N-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
40V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
145nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
6100pF @ 20V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 8085 PCS
Podaci za kontakt
Ključne riječi od SIE868DF-T1-GE3
SIE868DF-T1-GE3 Elektroničke komponente
SIE868DF-T1-GE3 Prodajni
SIE868DF-T1-GE3 Dobavljač
SIE868DF-T1-GE3 Distributer
SIE868DF-T1-GE3 Tablica podataka
SIE868DF-T1-GE3 Fotografije
SIE868DF-T1-GE3 Cijena
SIE868DF-T1-GE3 Ponuda
SIE868DF-T1-GE3 Najniža cijena
SIE868DF-T1-GE3 Pretraživanje
SIE868DF-T1-GE3 Kupnja
SIE868DF-T1-GE3 Čip