Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
SIE860DF-T1-GE3

SIE860DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Broj dijela
SIE860DF-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Obsolete
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
10-PolarPAK® (M)
Paket uređaja dobavljača
10-PolarPAK® (M)
Rasipanje snage (maks.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Tip FET-a
N-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
30V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 21.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
105nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
4500pF @ 15V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 54973 PCS
Podaci za kontakt
Ključne riječi od SIE860DF-T1-GE3
SIE860DF-T1-GE3 Elektroničke komponente
SIE860DF-T1-GE3 Prodajni
SIE860DF-T1-GE3 Dobavljač
SIE860DF-T1-GE3 Distributer
SIE860DF-T1-GE3 Tablica podataka
SIE860DF-T1-GE3 Fotografije
SIE860DF-T1-GE3 Cijena
SIE860DF-T1-GE3 Ponuda
SIE860DF-T1-GE3 Najniža cijena
SIE860DF-T1-GE3 Pretraživanje
SIE860DF-T1-GE3 Kupnja
SIE860DF-T1-GE3 Čip