Kupiti Vishay Siliconix SIE836DF-T1-E3 MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.

Pogledajte više informacija Podatkovne tablice

SIE836DF-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Broj dijela

SIE836DF-T1-E3

Proizvođač/Marka

Vishay Siliconix

Niz

TrenchFET®

Status dijela

Obsolete

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket/kovčeg

10-PolarPAK® (SH)

Paket uređaja dobavljača

10-PolarPAK® (SH)

Rasipanje snage (maks.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Tip FET-a

N-Channel

FET značajka

Napon odvoda prema izvoru (Vdss)

200V

Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C

18.3A (Tc)

Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs

41nC @ 10V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds

1200pF @ 100V

Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)

10V

Vgs (maks.)

±30V

Zatražite ponudu

Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na chen_hx1688@hotmail.com, odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.

Na lageru 39607 PCS

Podaci za kontakt

Srodni proizvodi