Kupiti Vishay Siliconix SIE820DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.

Podatkovne tablice

SIE820DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Broj dijela

SIE820DF-T1-GE3

Proizvođač/Marka

Vishay Siliconix

Niz

TrenchFET®

Status dijela

Obsolete

Pakiranje

Cut Tape (CT)

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket/kovčeg

10-PolarPAK® (S)

Paket uređaja dobavljača

10-PolarPAK® (S)

Rasipanje snage (maks.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Tip FET-a

N-Channel

FET značajka

Napon odvoda prema izvoru (Vdss)

20V

Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C

50A (Tc)

Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs

143nC @ 10V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds

4300pF @ 10V

Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)

2.5V, 4.5V

Vgs (maks.)

±12V

Zatražite ponudu

Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.

Na lageru 9859 PCS

Podaci za kontakt

Srodni proizvodi

SIE800DF-T1-E3