Kupiti Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.

Podatkovne tablice

SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Broj dijela

SIDR610DP-T1-GE3

Proizvođač/Marka

Vishay Siliconix

Niz

TrenchFET®

Status dijela

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket/kovčeg

PowerPAK® SO-8

Paket uređaja dobavljača

PowerPAK® SO-8DC

Rasipanje snage (maks.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Tip FET-a

N-Channel

Napon odvoda prema izvoru (Vdss)

200V

Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs

38nC @ 10V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds

1380pF @ 100V

Vgs (maks.)

±20V

Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)

7.5V, 10V

Zatražite ponudu

Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.

Na lageru 47401 PCS

Podaci za kontakt

Srodni proizvodi

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR390DP-T1-GE3