Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
SIB411DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
Broj dijela
SIB411DK-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Obsolete
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
PowerPAK® SC-75-6L
Paket uređaja dobavljača
PowerPAK® SC-75-6L Single
Rasipanje snage (maks.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Tip FET-a
P-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
20V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
9A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
66 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 8V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
470pF @ 10V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 50164 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SIB411DK-T1-GE3
SIB411DK-T1-GE3 Elektroničke komponente
SIB411DK-T1-GE3 Prodajni
SIB411DK-T1-GE3 Dobavljač
SIB411DK-T1-GE3 Distributer
SIB411DK-T1-GE3 Tablica podataka
SIB411DK-T1-GE3 Fotografije
SIB411DK-T1-GE3 Cijena
SIB411DK-T1-GE3 Ponuda
SIB411DK-T1-GE3 Najniža cijena
SIB411DK-T1-GE3 Pretraživanje
SIB411DK-T1-GE3 Kupnja
SIB411DK-T1-GE3 Čip