SIA427DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
Broj dijela
SIA427DJ-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Active
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
PowerPAK® SC-70-6
Paket uređaja dobavljača
PowerPAK® SC-70-6 Single
Rasipanje snage (maks.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Tip FET-a
P-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
8V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
50nC @ 5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
2300pF @ 4V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
1.2V, 4.5V
Vgs (maks.)
±5V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 6057 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SIA427DJ-T1-GE3
SIA427DJ-T1-GE3 Elektroničke komponente
SIA427DJ-T1-GE3 Prodajni
SIA427DJ-T1-GE3 Dobavljač
SIA427DJ-T1-GE3 Distributer
SIA427DJ-T1-GE3 Tablica podataka
SIA427DJ-T1-GE3 Fotografije
SIA427DJ-T1-GE3 Cijena
SIA427DJ-T1-GE3 Ponuda
SIA427DJ-T1-GE3 Najniža cijena
SIA427DJ-T1-GE3 Pretraživanje
SIA427DJ-T1-GE3 Kupnja
SIA427DJ-T1-GE3 Čip