SIA413DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Broj dijela
SIA413DJ-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Active
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
PowerPAK® SC-70-6
Paket uređaja dobavljača
PowerPAK® SC-70-6 Single
Rasipanje snage (maks.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Tip FET-a
P-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
12V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
57nC @ 8V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
1800pF @ 10V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 17654 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SIA413DJ-T1-GE3
SIA413DJ-T1-GE3 Elektroničke komponente
SIA413DJ-T1-GE3 Prodajni
SIA413DJ-T1-GE3 Dobavljač
SIA413DJ-T1-GE3 Distributer
SIA413DJ-T1-GE3 Tablica podataka
SIA413DJ-T1-GE3 Fotografije
SIA413DJ-T1-GE3 Cijena
SIA413DJ-T1-GE3 Ponuda
SIA413DJ-T1-GE3 Najniža cijena
SIA413DJ-T1-GE3 Pretraživanje
SIA413DJ-T1-GE3 Kupnja
SIA413DJ-T1-GE3 Čip