SI7858BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Broj dijela
SI7858BDP-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Active
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
PowerPAK® SO-8
Paket uređaja dobavljača
PowerPAK® SO-8
Rasipanje snage (maks.)
5W (Ta), 48W (Tc)
Tip FET-a
N-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
12V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
40A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
84nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
5760pF @ 6V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 6920 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SI7858BDP-T1-GE3
SI7858BDP-T1-GE3 Elektroničke komponente
SI7858BDP-T1-GE3 Prodajni
SI7858BDP-T1-GE3 Dobavljač
SI7858BDP-T1-GE3 Distributer
SI7858BDP-T1-GE3 Tablica podataka
SI7858BDP-T1-GE3 Fotografije
SI7858BDP-T1-GE3 Cijena
SI7858BDP-T1-GE3 Ponuda
SI7858BDP-T1-GE3 Najniža cijena
SI7858BDP-T1-GE3 Pretraživanje
SI7858BDP-T1-GE3 Kupnja
SI7858BDP-T1-GE3 Čip