SI7129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
Broj dijela
SI7129DN-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Active
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
PowerPAK® 1212-8
Paket uređaja dobavljača
PowerPAK® 1212-8
Rasipanje snage (maks.)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Tip FET-a
P-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
30V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
11.4 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
71nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
3345pF @ 15V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 51953 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SI7129DN-T1-GE3
SI7129DN-T1-GE3 Elektroničke komponente
SI7129DN-T1-GE3 Prodajni
SI7129DN-T1-GE3 Dobavljač
SI7129DN-T1-GE3 Distributer
SI7129DN-T1-GE3 Tablica podataka
SI7129DN-T1-GE3 Fotografije
SI7129DN-T1-GE3 Cijena
SI7129DN-T1-GE3 Ponuda
SI7129DN-T1-GE3 Najniža cijena
SI7129DN-T1-GE3 Pretraživanje
SI7129DN-T1-GE3 Kupnja
SI7129DN-T1-GE3 Čip