SI3459BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
Broj dijela
SI3459BDV-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Active
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket uređaja dobavljača
6-TSOP
Rasipanje snage (maks.)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Tip FET-a
P-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
60V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
2.9A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
216 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
350pF @ 30V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 34018 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SI3459BDV-T1-GE3
SI3459BDV-T1-GE3 Elektroničke komponente
SI3459BDV-T1-GE3 Prodajni
SI3459BDV-T1-GE3 Dobavljač
SI3459BDV-T1-GE3 Distributer
SI3459BDV-T1-GE3 Tablica podataka
SI3459BDV-T1-GE3 Fotografije
SI3459BDV-T1-GE3 Cijena
SI3459BDV-T1-GE3 Ponuda
SI3459BDV-T1-GE3 Najniža cijena
SI3459BDV-T1-GE3 Pretraživanje
SI3459BDV-T1-GE3 Kupnja
SI3459BDV-T1-GE3 Čip