Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
SI3430DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
Broj dijela
SI3430DV-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
-
Status dijela
Active
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket uređaja dobavljača
6-TSOP
Rasipanje snage (maks.)
1.14W (Ta)
Tip FET-a
N-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
100V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
1.8A (Ta)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
6.6nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na chen_hx1688@hotmail.com, odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 16739 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SI3430DV-T1-GE3
SI3430DV-T1-GE3 Elektroničke komponente
SI3430DV-T1-GE3 Prodajni
SI3430DV-T1-GE3 Dobavljač
SI3430DV-T1-GE3 Distributer
SI3430DV-T1-GE3 Tablica podataka
SI3430DV-T1-GE3 Fotografije
SI3430DV-T1-GE3 Cijena
SI3430DV-T1-GE3 Ponuda
SI3430DV-T1-GE3 Najniža cijena
SI3430DV-T1-GE3 Pretraživanje
SI3430DV-T1-GE3 Kupnja
SI3430DV-T1-GE3 Čip