SI2335DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
Broj dijela
SI2335DS-T1-E3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Obsolete
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket uređaja dobavljača
SOT-23-3 (TO-236)
Rasipanje snage (maks.)
750mW (Ta)
Tip FET-a
P-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
12V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
3.2A (Ta)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
51 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
1225pF @ 6V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 37812 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SI2335DS-T1-E3
SI2335DS-T1-E3 Elektroničke komponente
SI2335DS-T1-E3 Prodajni
SI2335DS-T1-E3 Dobavljač
SI2335DS-T1-E3 Distributer
SI2335DS-T1-E3 Tablica podataka
SI2335DS-T1-E3 Fotografije
SI2335DS-T1-E3 Cijena
SI2335DS-T1-E3 Ponuda
SI2335DS-T1-E3 Najniža cijena
SI2335DS-T1-E3 Pretraživanje
SI2335DS-T1-E3 Kupnja
SI2335DS-T1-E3 Čip