Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Broj dijela
SI2333DDS-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Active
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket uređaja dobavljača
SOT-23-3 (TO-236)
Rasipanje snage (maks.)
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Tip FET-a
P-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
12V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
35nC @ 8V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
1275pF @ 6V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 34051 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SI2333DDS-T1-GE3
SI2333DDS-T1-GE3 Elektroničke komponente
SI2333DDS-T1-GE3 Prodajni
SI2333DDS-T1-GE3 Dobavljač
SI2333DDS-T1-GE3 Distributer
SI2333DDS-T1-GE3 Tablica podataka
SI2333DDS-T1-GE3 Fotografije
SI2333DDS-T1-GE3 Cijena
SI2333DDS-T1-GE3 Ponuda
SI2333DDS-T1-GE3 Najniža cijena
SI2333DDS-T1-GE3 Pretraživanje
SI2333DDS-T1-GE3 Kupnja
SI2333DDS-T1-GE3 Čip