SI2315BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Broj dijela
SI2315BDS-T1-GE3
Proizvođač/Marka
Niz
TrenchFET®
Status dijela
Active
Pakiranje
Digi-Reel®
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket uređaja dobavljača
-
Rasipanje snage (maks.)
750mW (Ta)
Tip FET-a
P-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
12V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
3A (Ta)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
715pF @ 6V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 27508 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od SI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3 Elektroničke komponente
SI2315BDS-T1-GE3 Prodajni
SI2315BDS-T1-GE3 Dobavljač
SI2315BDS-T1-GE3 Distributer
SI2315BDS-T1-GE3 Tablica podataka
SI2315BDS-T1-GE3 Fotografije
SI2315BDS-T1-GE3 Cijena
SI2315BDS-T1-GE3 Ponuda
SI2315BDS-T1-GE3 Najniža cijena
SI2315BDS-T1-GE3 Pretraživanje
SI2315BDS-T1-GE3 Kupnja
SI2315BDS-T1-GE3 Čip