Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
IXTP1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
Broj dijela
IXTP1N120P
Proizvođač/Marka
Niz
PolarVHV™
Status dijela
Active
Pakiranje
Tube
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket/kovčeg
TO-220-3
Paket uređaja dobavljača
TO-220AB
Rasipanje snage (maks.)
63W (Tc)
Tip FET-a
N-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
1200V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
1A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
17.6nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
550pF @ 25V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 28625 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od IXTP1N120P
IXTP1N120P Elektroničke komponente
IXTP1N120P Prodajni
IXTP1N120P Dobavljač
IXTP1N120P Distributer
IXTP1N120P Tablica podataka
IXTP1N120P Fotografije
IXTP1N120P Cijena
IXTP1N120P Ponuda
IXTP1N120P Najniža cijena
IXTP1N120P Pretraživanje
IXTP1N120P Kupnja
IXTP1N120P Čip