Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
IXFX32N100P
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
Broj dijela
IXFX32N100P
Proizvođač/Marka
Niz
HiPerFET™, PolarP2™
Status dijela
Active
Pakiranje
Tube
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket/kovčeg
TO-247-3
Paket uređaja dobavljača
PLUS247™-3
Rasipanje snage (maks.)
960W (Tc)
Tip FET-a
N-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
1000V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
32A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
225nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
14200pF @ 25V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 5218 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od IXFX32N100P
IXFX32N100P Elektroničke komponente
IXFX32N100P Prodajni
IXFX32N100P Dobavljač
IXFX32N100P Distributer
IXFX32N100P Tablica podataka
IXFX32N100P Fotografije
IXFX32N100P Cijena
IXFX32N100P Ponuda
IXFX32N100P Najniža cijena
IXFX32N100P Pretraživanje
IXFX32N100P Kupnja
IXFX32N100P Čip