Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
IXFX30N110P
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
Broj dijela
IXFX30N110P
Proizvođač/Marka
Niz
HiPerFET™, PolarP2™
Status dijela
Active
Pakiranje
Tube
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket/kovčeg
TO-247-3
Paket uređaja dobavljača
PLUS247™-3
Rasipanje snage (maks.)
960W (Tc)
Tip FET-a
N-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
1100V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
235nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
13600pF @ 25V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 21270 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od IXFX30N110P
IXFX30N110P Elektroničke komponente
IXFX30N110P Prodajni
IXFX30N110P Dobavljač
IXFX30N110P Distributer
IXFX30N110P Tablica podataka
IXFX30N110P Fotografije
IXFX30N110P Cijena
IXFX30N110P Ponuda
IXFX30N110P Najniža cijena
IXFX30N110P Pretraživanje
IXFX30N110P Kupnja
IXFX30N110P Čip