Slika može predstavljati.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
Pogledajte specifikacije za pojedinosti o proizvodu.
EPC8010
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Broj dijela
EPC8010
Proizvođač/Marka
Niz
eGaN®
Status dijela
Active
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Tehnologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Radna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket/kovčeg
Die
Paket uređaja dobavljača
Die
Rasipanje snage (maks.)
-
Tip FET-a
N-Channel
FET značajka
-
Napon odvoda prema izvoru (Vdss)
100V
Struja - Kontinuirani odvod (Id) @ 25�C
2.7A (Ta)
Rds uključen (maks.) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Punjenje vrata (Qg) (maks.) @ Vgs
0.48nC @ 5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks.) @ Vds
55pF @ 50V
Pogonski napon (maks. Rds uključen, min. Rds uključen)
5V
Vgs (maks.)
+6V, -4V
Zatražite ponudu
Ispunite sva potrebna polja i kliknite "POŠALJI", kontaktirat ćemo vas u roku od 12 sati putem e-pošte. Ako imate bilo kakvih problema, ostavite poruke ili e-poštu na [email protected], odgovorit ćemo u najkraćem mogućem roku.
Na lageru 11565 PCS
Podaci za kontakt
Srodni proizvodi
Ključne riječi od EPC8010
EPC8010 Elektroničke komponente
EPC8010 Prodajni
EPC8010 Dobavljač
EPC8010 Distributer
EPC8010 Tablica podataka
EPC8010 Fotografije
EPC8010 Cijena
EPC8010 Ponuda
EPC8010 Najniža cijena
EPC8010 Pretraživanje
EPC8010 Kupnja
EPC8010 Čip